Библиотека электромонтера

Схема реле РСТ-13.

Релейная защита и автоматика (вводная лекция)
Релейная защита сетей
РЗ трансформаторов.
РЗ генераторов
Защита от замыканий на землю в сетях с изолированной нейтралью
Электронные устройства РЗ
Устройства РЗА сетей 500 кВ
Оперативное обслуживание устройств РЗА и ПА ПС Цинковая-220
ПДЭ-2802



Подразделы
 
>>1<< >>2<< >>3<< >>4<< >>5<< >>6<< >>7<< >>8<< >>9<< >>10<< >>11<< >>12<< >>13<< >>14<< >>15<< >>16<< >>17<<

Диод VD6.

Диод VD6 предназначен для защиты транзистора VT1 от импульсных перенапряжений, вызванных наличием ЭДС самоиндукции в обмотке реле K1.

Схема замещения обмотки реле K1 содержит активное сопротивление и индуктивность (рис. 3.4.8). В момент открывания транзистора VT1 ток в обмотке реле K1 начинает постепенно увеличиваться и доходит до установившегося значения. Скорость нарастания тока определяется индуктивностью обмотки реле, а установившееся значение тока - активным сопротивлением обмотки реле.

В момент закрывания транзистора ток через транзистор резко прекращается. А ток через индуктивность обмотки реле резко измениться не может. В течение некоторого времени ток через обмотку реле все равно протекает и заряжает паразитную емкость, имеющуюся между выводами обмотки реле (рис. 3.4.9). При этом напряжение на коллекторе транзистора в момент его закрывания равно сумме напряжения источника питания и напряжения на паразитной емкости. А напряжение, до которого зарядится паразитная емкость, определяется из закона сохранения энергии: электромагнитная энергия, запасенная в индуктивности обмотки реле, переходит в электростатическую энергию заряженного конденсатора:

Отсюда напряжение на паразитной емкости:

Так как величины I и L достаточно большие, а паразитная емкость C очень маленькая, то напряжение на паразитной емкости может достигать десятков и сотен вольт. Следовательно, в момент закрывания транзистора напряжение на коллекторе транзистора скачком увеличивается не до напряжения источника питания, а на величину намного большую, что приводит к пробою и повреждению транзистора.

При наличии диода VD6 в момент закрывания транзистора VT1 ток обмотки реле K1 начинает протекать через диод VD6 (рис. 3.4.10). При этом напряжение на коллекторе транзистора VT1 становится равным напряжению источника питания плюс падение напряжения на открытом диоде VD6 (около 0,6 В), что вполне допустимо для транзистора.