Библиотека электромонтера

Биполярные транзисторы.

Релейная защита и автоматика (вводная лекция)
Релейная защита сетей
РЗ трансформаторов.
РЗ генераторов
Защита от замыканий на землю в сетях с изолированной нейтралью
Электронные устройства РЗ
Устройства РЗА сетей 500 кВ
Оперативное обслуживание устройств РЗА и ПА ПС Цинковая-220
ПДЭ-2802



Подразделы
 
>>1<< >>2<< >>3<< >>4<< >>5<< >>6<< >>7<< >>8<< >>9<< >>10<< >>11<<

На коллектор транзистора VT1 подано напряжение источника питания +UИП. При этом коллекторный переход транзистора закрыт и тока через него, вроде бы, быть не может (кроме тока утечки коллекторного перехода). На базу транзистора через резистор RБ подано напряжение +UИП. От источника +UИП протекает ток через резистор RБ и эмиттерный переход транзистора:

IБ = (UИП-UБЭ)/RБ = (UИП-0,6)/RБ = UИП/RБ

При этом транзистор открывается и появляется ток коллектора:

IК = h21Э·IБ

где: h21Э = (50-500) - коэффициент усиления транзистора.

Пусть, например, при напряжении источника питания:

UИП = 10 В

и при коэффициенте усиления транзистора VT1:

h21Э = 100

переменным резистором RБ установлен ток базы транзистора VT1:

IБ = 1 мкА

Тогда ток коллектора транзистора VT1:

IК = IБ*h21Э = 1·100 = 100 мкА

Мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе транзистора VT1:

PК = UКЭ·IК = UИП*IК = 10·100 = 1000 мкВт = 1 мВт

Сопротивление цепи коллектор-эмиттер транзистора VT1:

RКЭ = UКЭ/IК = UИП/IК = 10/100 = 0,1 МОм = 100 кОм

Если установить переменным резистором RБ ток базы транзистора в 10 раз больше, то получим следующие параметры режима:

IБ = 10 мкА
IК = IБ·h21Э = 10·100 = 1000 мкА = 1 мА
PК = UИП·IК = 10·1 = 10 мВт
RКЭ = UИП/IК = 10/1 = 10 кОм

Таким образом, регулируя сравнительно малый ток базы транзистора можно изменять сопротивление транзистора (между коллектором и эмиттером) и достаточно большой ток в цепи коллектора транзистора. Правда, схемы, приведенные на рис. 2.4.2, практически применять не стоит, так как в данных схемах ток в цепи коллектора транзистора ничем не ограничен. И очень легко можно вывести транзистор из строя, увеличив ток базы настолько, что ток коллектора превысит максимально допустимый.

Транзистор типа P-N-P работает аналогично, только наоборот (рис. 2.4.2).

Основные параметры некоторых транзисторов, применяемых в устройствах РЗА:

Тип КТ3102А КТ3102Б КТ3107А КТ3107Б КТ3107К КТ940А
Мал. мощн. ВЧ Мал. мощн. ВЧ Мал. мощн. ВЧ Мал. мощн. ВЧ Мал. мощн. ВЧ Бол. мощн. ВЧ
Структура NPN NPN PNP PNP PNP NPN
h21Э 100-250 200-500 70-140 120-220 380-800 25
UКЭ.МАКС, В 50 50 45 45 25 300
UКБ.МАКС, В 50 50 50 50 30 300
UЭБ.МАКС, В 5 5 5 5 5 5
IК.МАКС, мА 100 100 100 100 100 100
PК.МАКС, мВт 250 250 300 300 300 10000
IК0.МАКС, мкА 0,05 0,05 0,1 0,1 0,1 0,05
Где применяется ПДЭ-2802 - ПДЭ-2802 ШДЭ-2802 - РСТ
РСН