Библиотека электромонтера

Биполярные транзисторы.

Релейная защита и автоматика (вводная лекция)
Релейная защита сетей
РЗ трансформаторов.
РЗ генераторов
Защита от замыканий на землю в сетях с изолированной нейтралью
Электронные устройства РЗ
Устройства РЗА сетей 500 кВ
Оперативное обслуживание устройств РЗА и ПА ПС Цинковая-220
ПДЭ-2802



Подразделы
 
>>1<< >>2<< >>3<< >>4<< >>5<< >>6<< >>7<< >>8<< >>9<< >>10<< >>11<<

Схема включения транзистора с общим эмиттером.

Типовая широко применяемая схема включения транзистора называется схемой с общим эмиттером. Принципиальная электрическая схема включения транзистора типа N-P-N с общим эмиттером приведена на рис. 2.4.3а.

На коллектор транзистора VT1 подано напряжение питания +UИП через сопротивление нагрузки транзистора RН. На базу транзистора подается напряжение +UВХ через резистор RБ. Ток базы транзистора определяется по формуле:

IБ = (UВХ-UБЭ)/RБ = (UВХ-0,6)/RБ - UВХ/RБ

Отсюда следует, что можно изменять ток базы транзистора, изменяя или напряжение UВХ, или сопротивление RБ. В любом случае, при изменении тока базы пропорционально изменяется ток коллектора:

IК = h21Э·IБ

и напряжение на нагрузке и на коллекторе транзистора:

UН = IК·RН
UК = UИП-UН

Таким образом, изменяя небольшое входное напряжение, можно получить пропорциональное изменение большого напряжения на нагрузке. Этот процесс называется усилением.

Рассмотрим работу транзистора при следующих исходных данных:

UИП = 10 В
RН = 10 кОм
RБ = 100 кОм
h21Э = 100

Пусть, например, входное напряжение:

UВХ = 1,2 В

Тогда ток базы транзистора:

мА = 6 мкА

Ток нагрузки, равный току коллектора транзистора:

IН = IК = IБ·h21Э = 6*100 = 600 мкА

Напряжение на нагрузке:

UН = IН*RН = 600*10 = 6000 мВ = 6 В

Если входное напряжение, например, увеличить с 1,2 В до 1,3 В, то получим следующий результат:

UВХ = 1,3 В





Маркировка кабеляКоробка соединительная Т9-4М